Charge

Chargeキーワードを指定すると，バックグラウンド電荷分布(background charge distribution)を考慮した計算を行います。電荷分布は点電荷により構成されます[424,425]。シングルポイント（一点）計算でのみ有効です。

デフォルトでは，電荷はインプットストリームから，1行ずつ次のようなフォーマットで読み込まれます：

x y z charge 0.0 A [ρ B]

ここで， x,y,zはインプット配向での座標（単位はUnitsキーワードで指定されたもの，デフォルトではオングストローム），chargeは電荷，0.0 は固定場，残りの項目は次式のような電子反発項のパラメータです：

 

Angstroms
入力電荷位置の指定がオングストローム単位になります。

Bohrs
入力電荷位置の指定がボーア単位になります。

StandardOrientation
入力電荷の指定が，インプット配向ではなく，標準配向となります。分子の標準配向を簡単に確認するためには，%KJob=L301 Link 0 コマンドを用いてください。

Check
チェックポイントファイルからバックグラウンド電荷分布を読み込みます。

シングルポイント（一点）エネルギー，最適化，振動数。半経験的方法では使えません。

%KJob, Units

バックグラウンド電荷の存在下で構造最適化を行うためには， Opt=Z-Matrix NoSymm キーワードを用いて，伝統的なZ-matrix座標か記号によるカーティシャン座標のどちらかで入力座標を指定する必要があります。以下に例を示します：

# RHF/STO-3G Opt=Z-Matrix Charge NoSymm

Water, STO-3G, point charges

0,1
O
H 1 R1
H 1 R2 2 A1
Variables:
R1=1.0
R2=1.0
A1=105.

2.0  2.0 2.0 1.2
2.0 -2.0 2.0 1.1